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会员年限：14年
张凯 
电话：0755-28892811
手机：13717085518
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：11 A
Rds上漏源导通电阻：17.5 mOhms
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：6.2 nC
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF8707TRPBF SP001555780
单位重量：540毫克
特征
•先进的工艺技术
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•轻松并行
•简单的驱动器要求
•无铅
描述
第五代HEXFET®国际整流器利用先进的处理技术，使每个硅面积的导通电阻极低。这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
TO-220封装普遍适用于所有功耗约为50瓦的商业工业应用。 TO-220的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业中的广泛接受。
D2Pak是一种表面安装电源封装，能够容纳高达HEX-4的裸片尺寸。在现有的任何表面贴装封装中，它都具有的功率能力和的导通电阻。 D2Pak的内部连接电阻低，因此适合大电流应用，在典型的表面安装应用中，其耗散功率高达2.0W。
通孔版本（IRF630NL）可用于薄型应用。
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
9.3 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
6.5 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current G) |
37 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
82 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.5 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
±20 |
V |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy(￡ |
94 |
mJ |
|
IAR |
Avalanche CurrentG) |
9.3 |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche EnergyG) |
8.2 |
mJ |
|
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt @ |
8.1 |
V/ns |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to +175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
|
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|
Mounting torque, 6-32 or M3 srew© |
10 lbf•in (1.1N•m) |
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询价
