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CSD19534Q5A 场效应管 MOSFET

CSD19534Q5A 场效应管 MOSFET

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CSD19534Q5A 场效应管 MOSFET

型号/规格：

CSD19534Q5A

品牌/商标：

TI

封装形式：

VSONP-8

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

贴片式

包装方式：

盒带编带包装

功率特征：

大功率

包装数量：

2500

批次：

21+

QQ:323283093

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产品信息

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	CSD19534Q5A MOSFET
RoHS:	详细信息
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VSONP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	50 A
Rds On-漏源导通电阻:	15.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.4 V
Qg-栅极电荷:	17 nC
zui小工作温度:	- 55 C
zui大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	63 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	CSD19534Q5A
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
下降时间:	6 ns
正向跨导 - zui小值:	47 S
高度:	1 mm
长度:	6 mm
产品类型:	CSD19534Q5A MOSFET
上升时间:	14 ns
系列:	CSD19534Q5A
	2500
子类别:	CSD19534Q5A MOSFETs
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	20 ns
典型接通延迟时间:	9 ns
宽度:	4.9 mm
单位重量:	250 mg